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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數電荷載流子（電子）的勢壘。認 為肖特基勢壘像　ＺｎＯ　微結構中晶粒邊界勢壘。晶粒邊界 上的負表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側晶粒的耗盡 層的正電荷來補償的。熱電子發射和隧道效應是主要的傳 輸機制。 近發展的壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩電壓應力下，壓敏電阻的穩定性上取得了很大進展。

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壓敏電阻介入系統后，除了起到'安全閥'的保護作用外，還會帶入一些附加影響，這就是所謂'二次效應'，它不應降低系統的正常工作性能。這時要考慮的因素主要有三項，一是壓敏電阻本身的電容量（幾十到幾萬PF），二是在系統電壓下的漏電流，三是壓敏電阻的非線性電流通過源阻抗的耦合對其他電路的影響。

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